高速・高電圧半導体スイッチ

Behlke Power Electronics社製「高速・高電圧半導体スイッチ」

特 徴

  • 動作電圧:500V ~ 150kV
  • ピーク電流:15A ~ 16kA (pk)
  • 電流変化:5 A/ns 〜 32 kA/μs
  • 立上り時間:800ps 〜
  • 周波数:DC 〜 3MHz
  • アイソレーション:〜 200kVDC

アプリケーション

  • 高電圧リレーレーザ
  • レーダー電子機器
  • EMC制御機器
  • 産業用電子機器
  • 産業用試験機器
  • 高エネルギー物理学実験装置
  • TOF-MS

製品群

タイプ 特徴
A <SCR/Thyristor>  Current Depending On-Time, SCR (制御電流ON時間コントロール)
B1 <MOSFET>  Fixed On-Time, General Purpose, MOSFET (On-Time固定・標準タイプ)
B2 <MOSFET>  Fixed On-Time, High di/dt, MOSFET (On-Time固定・標準タイプ)
B3 <MOSFET>  Fixed On-Time, High di/dt, Ultra Fast, MOSFET (On-Time固定・超高速タイプ)
B4 <MOSFET>  Fixed On-Time, Low Resistance, MOSFET (On-Time固定・低ON抵抗タイプ)
C1 <MOSFET>  Variable On-Time, General Purpose, MOSFET (On-Time可変・標準タイプ)
C2 <MOSFET>  Variable On-Time, High di/dt, MOSFET (On-Time可変・高速タイプ)
C3 <MOSFET>  Variable On-Time, Low Coupling Capacitance, MOSFET (On-Time可変・低カップリング容量タイプ)
C4 <MOSFET>  Variable On-Time, Low On-Resistance, MOSFET (On-Time可変・低ON抵抗タイプ)
C5 <MOSFET>  Variable On-Time, AC Voltage, MOSFET (On-Time可変・AC電圧タイプ)
C6 <IGBT>  Variable On-Time, General Purpose, IGBT (On-Time可変・標準タイプ)
C7 <Thyristor / MCT>  Variable On-Time, Thyristor / MCT (On-Time可変・MOS制御サイリスタ)
C8 <MOSFET>  Variable On-Time, Push-Pull, MOSFET (On-Time可変・プッシュプルタイプ)
C9 <MOSFET>  Variable On-Time, AC Push-Pull, MOSFET (On-Time可変・ACプッシュプルタイプ)
D <Pulser Units>  Laboratory Pulser & OEM Pulser Units (Pulser Units、研究用・OEM用製品)
E <Diode Assemblies>  Fast Recovery High Voltage Diode Assemblies (高電圧ダイオードアセンブリ、高速リカバリタイプ)
F <DLC>  DLC – Direct Liquid Cooling for HTS Switches (非伝導性HTSスイッチ用液体空冷)
G <Accessories>  Passive Part Components & Accessories (受動部品コンポーネント&アクセサリ)

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