高速・高電圧半導体スイッチ
Behlke Power Electronics社製「高速・高電圧半導体スイッチ」
特 徴
- 動作電圧:500V ~ 150kV
- ピーク電流:15A ~ 16kA (pk)
- 電流変化:5 A/ns 〜 32 kA/μs
- 立上り時間:800ps 〜
- 周波数:DC 〜 3MHz
- アイソレーション:〜 200kVDC
アプリケーション
- 高電圧リレーレーザ
- レーダー電子機器
- EMC制御機器
- 産業用電子機器
- 産業用試験機器
- 高エネルギー物理学実験装置
- TOF-MS
製品群
タイプ | 特徴 |
---|
A <SCR/Thyristor> | Current Depending On-Time, SCR (制御電流ON時間コントロール) |
B1 <MOSFET> | Fixed On-Time, General Purpose, MOSFET (On-Time固定・標準タイプ) |
B2 <MOSFET> | Fixed On-Time, High di/dt, MOSFET (On-Time固定・標準タイプ) |
B3 <MOSFET> | Fixed On-Time, High di/dt, Ultra Fast, MOSFET (On-Time固定・超高速タイプ) |
B4 <MOSFET> | Fixed On-Time, Low Resistance, MOSFET (On-Time固定・低ON抵抗タイプ) |
C1 <MOSFET> | Variable On-Time, General Purpose, MOSFET (On-Time可変・標準タイプ) |
C2 <MOSFET> | Variable On-Time, High di/dt, MOSFET (On-Time可変・高速タイプ) |
C3 <MOSFET> | Variable On-Time, Low Coupling Capacitance, MOSFET (On-Time可変・低カップリング容量タイプ) |
C4 <MOSFET> | Variable On-Time, Low On-Resistance, MOSFET (On-Time可変・低ON抵抗タイプ) |
C5 <MOSFET> | Variable On-Time, AC Voltage, MOSFET (On-Time可変・AC電圧タイプ) |
C6 <IGBT> | Variable On-Time, General Purpose, IGBT (On-Time可変・標準タイプ) |
C7 <Thyristor / MCT> | Variable On-Time, Thyristor / MCT (On-Time可変・MOS制御サイリスタ) |
C8 <MOSFET> | Variable On-Time, Push-Pull, MOSFET (On-Time可変・プッシュプルタイプ) |
C9 <MOSFET> | Variable On-Time, AC Push-Pull, MOSFET (On-Time可変・ACプッシュプルタイプ) |
D <Pulser Units> | Laboratory Pulser & OEM Pulser Units (Pulser Units、研究用・OEM用製品) |
E <Diode Assemblies> | Fast Recovery High Voltage Diode Assemblies (高電圧ダイオードアセンブリ、高速リカバリタイプ) |
F <DLC> | DLC – Direct Liquid Cooling for HTS Switches (非伝導性HTSスイッチ用液体空冷) |
G <Accessories> | Passive Part Components & Accessories (受動部品コンポーネント&アクセサリ) |
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