SPM用プローブ・カンチレバー

ピラミッド型にエッチングされたシリコンプローブは鋭いチップ先端と安定した共振周波数を実現し、ダイナミックAFMを主として様々なタイプのAFMに最適です。このタイプのプローブは様々な仕様の共振周波数やばね定数の製品が揃っております。

チップ仕様

• チップ半径：~ 8 nm
• チップ材質：シリコン

チップレスタイプのプローブは、バネ定数、共振周波数が異なる3種類のカンチレバーがついています。独自の粒子などの修飾が可能です。

HARDタイプのプローブもピラミッド型に鋭くエッチングされています。このプローブはDLCコーティングされておりますので、摩耗が少く、広範囲のスキャンや再現性に優れています。

チップ仕様

• チップ半径：< 20 nm

ダイヤモンドでコーティングした導電性のあるプローブです。 ダイヤモンドを厚めにコーティングしてあるので耐久性に優れています。

チップ仕様

• チップ半径：< 250 nm

DPERタイプのプローブはシリコンチップを白金でコーティングしております。コーティングは10nm程度と極薄ですので、チップ先端の鋭さは20nm以下を保持しております。白金コートをしておりますので、導電性が大きく、KFMやEFMなどの電気力顕微鏡に最適です。

チップ仕様

• チップ半径：< 20 nm

DPEプローブはチップにコーティングされた導電性層が特殊な構造をしており、電気的な感度を向上しながらも分解能を低下させることはありません。

チップ仕様

• チップ半径：< 40 nm

白金又は金でコーティングされたプローブは様々な電気力顕微鏡に最適です。

プラチナコーティングチップ仕様

• チップ半径：< 30 nm

金コーティングチップ仕様

• チップ半径：< 35 nm

NSCプローブは磁気力測定の為にチップに磁性膜をコーティングしています。コーティングはチップ側と背面の両面に60nmのコバルトと20nmのクロムから形成されています。

チップ仕様

• チップ半径：< 60 nm

高分解能プローブはシリコンチップの先端に非常に鋭いスパイク状のダイヤモンドライクカーボンを成長させて作製しています。取り扱いには十分な注意が必要となりますが、高解像度のスキャン像を得ることが出来ます。

スパイク仕様

• スパイク半径：< 1 nm
• スパイク高さ：100 – 200 nm
• スパイク材料：ダイヤモンドライク

シリコナイトライド（窒化ケイ素）製の2種類のカンチレバーが両サイドについております。

チップ仕様

• チップ半径：金コーティングなし：< 10nm
• チップ半径：金コーティングあり：< 30nm

ノンコンタクトモード、タッピングモードなどに最適です。カイチレバー背面にアルミニウムコーティング有／無のタイプがあります。

チップ仕様

• チップ半径 < 7nm

ノンコンタクトモード、タッピングモードなどに最適です。チップに金コーティング有／無のタイプがあります。

チップ仕様

• チップ半径：金コーティングなし：< 7 nm
• チップ半径：金コーティングあり：< 30 nm

電気測定（EFM、KPFM等）に最適です。カンチレバー全体（チップも含む）がプラチナでコーティングされています。

チップ仕様

• チップ半径： < 25 nm

磁性測定（MFM）に最適です。チップはコバルト合金、カンチレバー背面はアルミでコーティングされています。

チップ仕様

• チップ半径： < 60 nm

非常に鋭いスパイク状のダイヤモンドライクカーボンを使用したプローブです。カンチレバー部分は金でコーティングされています。

チップ仕様

• チップ半径： < 1 nm

カーボンナノファイバーを使用した高アスペクトプローブです。深い溝のある試料の測定に最適です。カンチレバー部分は金でコーティングされています。

チップ仕様

• チップ半径： < 10 nm（先端）
• チップ半径： < 50 nm（先端から200nmにおいて）