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フォトレシーバー

FEMTO製「フォトレシーバー」

各種「フォトレシーバー」お取り扱いをしております。各製品をクリックすると詳細へ移動します。

FWPR-20シリーズ
フェムトワット
フォトレシーバー

PWPR-2Kシリーズ
ピコワット
フォトレシーバー

LCA-Sシリーズ
400kHz 低ノイズ
フォトレシーバー

HCA-S-200Mシリーズ
200MHz 高速
フォトレシーバー

HCA-S-400Mシリーズ
400MHz 高速
フォトレシーバー

HSA-X-S/HSPR-Xシリーズ
2GHz 超高速
フォトレシーバー

OE-200シリーズ
光学パワーメーターゲイン可変
フォトレシーバー

OE-300シリーズ
200MHz ゲイン可変
フォトレシーバー

HBPRシリーズ
差動入力型
フォトレシーバー

FEMTO Messtechnik社製　FWPR-20シリーズ

フェムトワットフォトレシーバー

	FWPR-20-SI	FWPR-20-IN
Photodiode	1.1 x 1.1 mm² Si	0.5 mmφInGaAs PIN
Spectral Range	320 … 1100 nm	900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)	DC … 20 Hz	DC … 20 Hz
Rise/Fall Time (10% – 90%)	18 ms	18 ms
Transimpedance Gain	1 x 10¹² V/A	1 x 10¹¹ V/A
Max. Conversion Gain	0.6 x 10¹² V/W (@ 960 nm)	0.95 x 10¹¹ V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 Hz)	0.7 fW/√Hz (@ 960 nm)	7.5 fW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet	PDFファイル	PDFファイル

FEMTO Messtechnik社製　PWPR-2Kシリーズ

ピコワットフォトレシーバー

	PWPR-2K-SI	PWPR-2K-IN
Photodiode	1.2 mm Ø Si-PIN	0.5 mm Ø InGaAs-PIN
Spectral Range	320 … 1060 nm	900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)	DC … 2 kHz	DC … 2 kHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)	165 μs	165 μs
Transimpedance Gain (switchable)	1 x 10⁹ V/A 1 x 10¹⁰ V/A	1 x 10⁹ V/A 1 x 10¹⁰ V/A
Max. Conversion Gain	0.64 x 10⁹ V/W (@ 900 nm, gain 10⁹ V/A) 0.64 x 10¹⁰ V/W (@ 900 nm, gain 10¹⁰ V/A)	1.1 x 10⁹ V/W (@ 1580 nm, gain 10⁹ V/A) 1.1 x 10¹⁰ V/W (@ 1580 nm, gain 10¹⁰ V/A)
NEP (@ 100 Hz)	9 fW/√Hz (@ 900 nm)	10 fW/√Hz (@ 1580 nm)
Datasheet	PDFファイル	PDFファイル

FEMTO Messtechnik社製　LCA-Sシリーズ

400kHz 低ノイズフォトレシーバー

	LCA-S-400K-SI	LCA-S-400K-IN
Photodiode	2.5 mm φSi-PIN	0.5 mm φInGaAs-PIN
Spectral Range	400 … 1050 nm	900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)	DC … 400 kHz	DC … 400 kHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)	1μs	1μs
Transimpedance Gain	1 x 10⁷ V/A	1 x 10⁷ V/A
Max. Conversion Gain	6.2 x 10⁶V/W (@ 900 nm)	9.5 x 10⁶V/W (@ 1550 nm)
Min NEP(@ 10 kHz)	130 fW/√Hz (@ 900 nm)	75 fW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet	PDFファイル	PDFファイル

FEMTO Messtechnik社製　HCA-S-200Mシリーズ

200MHz 高速フォトレシーバー

	HCA-S-200M-SI	HCA-S-200M-IN
Photodiode	0.8 mmφSi PIN	0.3 mm φInGaAs PIN
Spectral Range	320 … 1000 nm	900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)	DC … 200 MHz	DC … 200 MHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)	1.8 ns	1.8 ns
Transimpedance Gain	2 x 10⁴ V/A	2 x 10⁴ V/A
Max. Conversion Gain	1.1 x 10⁴V/W (@ 800 nm)	1.9 x 10⁴V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 MHz)	10 pW/√Hz (@ 800 nm)	6 pW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet	PDFファイル	PDFファイル

FEMTO Messtechnik社製　HCA-S-400Mシリーズ

400MHz 高速フォトレシーバー

	HCA-S-400M-SI	HCA-S-400M-IN-FC
Photodiode	0.8 mm φ Si PIN	0.1 mm φ InGaAs PIN
Spectral Range	320 … 1000 nm	900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)	DC … 400 MHz	DC … 400 MHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)	1 ns	1 ns
Transimpedance Gain	5 x 10³ V/A	5 x 10³ V/A
IMax. Conversion Gain	2.7 x 10³ V/W (@ 800 nm)	5 x 10³ V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 100 MHz)	40 pW/√Hz (@ 800 nm)	21 pW/√Hz (@ 1550 nm)
Available Input Options	Free Space (FS), FC or SMA FC
Datasheet	PDFファイル	PDFファイル

FEMTO Messtechnik社製　HSA-X-Sシリーズ

2GHz 超高速フォトレシーバー

	HSA-X-S-1G4-SI	HSA-X-S-2G-IN
Photodiode	0.8 mmφSi PIN	0.2 mm φInGaAs PIN
Spectral Range	320 … 1000 nm	850 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)	10 kHz … 1.4 GHz	10 kHz … 2 GHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)	250 ps	180 ps
Transimpedance Gain	5 x 10³ V/A	5 x 10³ V/A
Max. Conversion Gain	2.5 x 10³ V/W (@ 760 nm)	4.8 x 10³ V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 MHz)	26 pW/√Hz (@ 760 nm)	14pW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet	PDFファイル	PDFファイル

FEMTO Messtechnik社製　HSPR-Xシリーズ

2GHz 超高速フォトレシーバー

	HSPR-X-I-1G4-SI inverting	HSPR-X-I-2G-IN inverting
Photodiode	Ø 0.4 mm Si-PIN	Ø 0.1 mm InGaAs-PIN
Spectral Range	320 … 1000 nm	900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)	10 kHz … 1.4 GHz	10 kHz … 2 GHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)	250 ps	180 ps
Transimpedance Gain	5 x 10³ V/A inverting	5 x 10³ V/A inverting
Max. Conversion Gain	2.55 x 10³ V/W (@ 760 nm)	4.75 x 10³ V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 MHz)	19 pW/√Hz (@ 760 nm)	11pW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet	PDFファイル	PDFファイル

FEMTO Messtechnik社製　OE-200シリーズ

光学パワーメーターゲイン可変フォトレシーバー（190〜1700nm 波長範囲）

	OE-200-SI	OE-200-UV	OE-200-IN1	OE-200-IN2
Detector Type	Si-PIN	Si-PIN	InGaAs-PIN	nGaAs-PIN
Detector Size [mm]	φ 1.2	1.1 x 1.1	φ 0.1	φ 0.1
Spectral Range [nm]	320 – 1060	190 – 1000	900 – 1700	900 – 1700
Calibration Wavelength [nm]	830	830	1300	1550
Fiber Input	FC, ST, SMA T	FC, ST, SMA	FC, ST	FC, S
NEP (Dependent on Gain Setting) [/√Hz]	10 fW – 24 pW	17 fW – 69 pW	11 fW – 25 pW	10 fW – 23 pW
Datasheet	PDFファイル	PDFファイル	PDFファイル	PDFファイル

The Following Characteristics Are Valid For All Models:

Performance Range	Low Noise							High Speed
Conversion Gain [V/W]	10³	10⁴	10⁵	10⁶	10⁷	10⁸	10⁹	10⁵	10⁶	10⁷	10⁸	10⁹	10¹⁰	10¹¹
Bandwidth (-3 dB) [kHz]	500	500	400	200	45	7	1.2	500	500	400	200	45	7	1.2
Rise Time (10%-90%)	700 ns	700 ns	90 ns	1.8 μs	8 μs	50 μs	300 μs	700 ns	700 ns	900 ns	1.8 μs	8 μs	50 μs	300 μ
Accuracy Performance	Conversion Gain ±5 %, Flatness 0.1 dB, Linearity 1% (Popt < 1 mW)
Lowpass Filter	Switchable to 10 Hz
Output	Performance ±10 V (@ 10 kΩ load)
Power Supply	±15 V, +150 mA/-100 mA
Control Interface	5 Opto-Isolated Digital Inputs, TTL/CMOS Compatible, Analog Offset Control Voltage Input
Case	150 x 55 x 40 mm (L x W x H), Weight 320 g (0.74 lbs)

FEMTO Messtechnik社製　OE-300シリーズ

200MHz ゲイン可変フォトレシーバー（320〜1700nm 波長範囲）

Model	OE-300-SI-10	OE-300-SI-30	OE-300-IN-01	OE-300-IN-03
Detector Type	Si-PIN	Si-PIN	InGaAs-PIN	InGaAs-PIN
Detector size [mm]	1.0 x 1.0	Ø 3.0	Ø 0.08	Ø 0.3
Spectral Range [nm]	400 – 1000	320 – 1000	900 – 1700	800 – 1700
Input	Free space (fiber adapters available)	Free space (fiber adapters available)	FC fiber	Free space
NEP (Dependent on Gain Setting) [/√Hz]	140 fW – 377 pW	154 fW – 340 pW	88 fW – 217 pW	93 fW – 219 pW
Datasheet	PDFファイル	PDFファイル	PDFファイル	PDFファイル

The Following Characteristics Are Valid For All Models:

Performance Range	Low Noise						High Speed
Gain Setting [V/A] (Transimpedance)	10²	10³	10⁴	10⁵	10⁶	10⁷	10³	10⁴	10⁵	10⁶	10⁷	10⁸
Bandwidth (−3 dB) [MHz]	200 (100)¹	80 (60)¹	14	3.5	1.8	0.22	175 (100)¹	80 (60)¹	14	3.5	1.8	0.22
Rise Time (10 % – 90 %)	1.83 ns (3.5 ns)¹	4.4 ns (5.8 ns)¹	25 ns	0.1 μs	0.2 μs	1.6 μs	2.0 ns (3.5 ns)¹	4.4 ns (5.8 ns)¹	25 ns	0.1 μs	0.2 μs	1.6 μs
Gain Accuracy	±1 % (transimpedance)
Low Pass Filter	switchable to 1 MHz and 10 MHz
Output Performance	±1 V (@ 50 Ω load), for linear amplification
Power Supply	±15 V, +150 mA/−100 mA typ., ±200 mA recommended
Control Interface	5 opto-isolated digital inputs, TTL/CMOS compatible, analog offset control voltage input
Case	170 x 60 x 45 mm (L x B x H), weight 320 g (0.74 lb.)

¹⁾model OE-300-SI-30

新商品

FEMTO Messtechnik社製　HBPRシリーズ

HBPRシリーズ（差動入力型フォトレシーバー）

Models for the spectral range from 320 to 1000 nm:

Model	HBPR-100M-60K-SI-FS HBPR-100M-60K-SI-FST HBPR-100M-60K-SI-FC	HBPR-200M-30K-SI-FS HBPR-200M-30K-SI-FST HBPR-200M-30K-SI-FC	HBPR-500M-10K-SI-FS HBPR-500M-10K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FC
Si-PIN photo diode	0.8 mm Ø	0.8 mm Ø	0.4 mm Ø, FC version with ball lens
Spectral range	320 – 1000 nm	320 – 1000 nm	320 – 1000 nm
Bandwidth (−3 dB)	DC – 100 MHz	DC – 200 MHz	DC – 500 MHz
Transimpedance gain (switchable)	2.0 x 10⁴ V/A 6.0 x 10⁴ V/A	1.0 x 10⁴ V/A 3.0 x 10⁴ V/A	5.0 x 10³ V/A 10.0 x 10³ V/A
Conversion gain (switchable)	10.8 x 10³ V/W typ. 32.4 x 10³ V/W typ. (@ 850 nm)	5.4 x 10³ V/W typ. 16.2 x 10³ V/W typ. (@ 850 nm)	2.55 x 10³ V/W typ. 5.1 x 10³ V/W typ. (@ 760 nm)
Minimum NEP	≤ 6.5 pW/√Hz (@850 nm)	≤ 7.8 pW/√Hz (@850 nm)	≤ 12 pW/√Hz (@760 nm)
NEP (@ 20 MHz)	≤ 7.4 pW/√Hz (@850 nm)	≤ 8.8 pW/√Hz (@850 nm)	≤ 13 pW/√Hz (@760 nm)
Common mode rejection (typ.)	50 dB	45 dB	40 dB
Data sheet FS/FST version	PDFファイル	PDFファイル	PDFファイル
Data sheet FC version	PDFファイル	PDFファイル	PDFファイル

Models for the spectral range from 800 to 1700 nm:

Model	HBPR-100M-60K-IN-FS HBPR-100M-60K-IN-FST HBPR-100M-60K-IN-FC	HBPR-200M-30K-IN-FS HBPR-200M-30K-IN-FST HBPR-200M-30K-IN-FC	HBPR-450M-10K-IN-FS HBPR-450M-10K-IN-FST HBPR-500M-10K-IN-FC
InGaAs-PIN photo diode	0.3 mm Ø (FS/FST model), 80 µm Ø, ball lens (FC model)
Spectral range	800 – 1700 nm (FS/FST model), 900 – 1700 nm (FC model)
Bandwidth (−3 dB)	DC – 100 MHz	DC – 200 MHz	DC – 450 MHz (FS/FST) DC – 500 MHz (FC)
Transimpedance gain (switchable)	2.0 x 10⁴ V/A 6.0 x 10⁴ V/A	1.0 x 10⁴ V/A 3.0 x 10⁴ V/A	5.0 x 10³ V/A 1.0 x 10⁴ V/A
Conversion gain @ 1550 nm (switchable)	19 x 10³ V/W typ. 57 x 10³ V/W typ.	9.5 x 10³ V/W typ. 28.5 x 10³ V/W typ.	4.75 x 10³ V/W typ. 9.5 x 10³ V/W typ.
Minimum NEP (@ 1550 nm)	≤ 3.7 pW/√Hz	≤ 4.4 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.1 pW/√Hz (FC)	≤ 6.5 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 6.7 pW/√Hz (FC)
NEP (@ 20 MHz, 1550 nm)	≤ 4.3 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.0 pW/√Hz (FC)	≤ 4.9 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.4 pW/√Hz (FC)	≤ 6.9 pW/√Hz
Common mode rejection (typ.)	50 dB (FS/FST) 55 dB (FC)	45 dB (FS/FST) 50 dB (FC)	35 dB (FS/FST) 45 dB (FC)
Data sheet FS/FST version	PDFファイル	PDFファイル	PDFファイル
Data sheet FC version	PDFファイル	PDFファイル	PDFファイル

The following specifications apply to all HBPR models:

Max. CW common mode power	10 mW on each photo diode
Low pass filter	Full bandwidth switchable to 20 MHz (upper cut-off frequency)
High pass filter (AC coupling)	DC coupling switchable to AC (10 Hz lower cut-off frequency)
Signal output voltage	±1.0 V at 50 Ω load (for linear gain and low harmonic distortion), maximum ±2.0 V at 50 Ω load
Monitor outputs	transimpedance gain 1000 V/A, bandwidth DC – 10 MHz, output voltage 0 … +10 V (@ ≥100 kΩ load)
Power supply voltage / current	±15 V (±14.5 V … ±16.5 V) –90 / +120 mA typ.
Housing	80 x 80 x 30,5 mm (L x B x H) weight FC-models 350 g (0.77 lbs), weight FS/FST-models 410 g (0.9 lbs)

Femto社製アンプ用アクセサリー（電源、USBコントローラ）はこちらをご覧ください。

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