フォトレシーバー

FEMTO製「フォトレシーバー」

各種「フォトレシーバー」お取り扱いをしております。各製品をクリックすると詳細へ移動します。

FEMTO Messtechnik社製 FWPR-20シリーズ

フェムトワット フォトレシーバー
  FWPR-20-SI FWPR-20-IN
Photodiode 1.1 x 1.1 mm2 Si 0.5 mmφInGaAs PIN
Spectral Range 320 … 1100 nm 900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) DC … 20 Hz DC … 20 Hz
Rise/Fall Time (10% – 90%) 18 ms 18 ms
Transimpedance Gain 1 x 1012 V/A 1 x 1011 V/A
Max. Conversion Gain 0.6 x 1012 V/W (@ 960 nm) 0.95 x 1011 V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 Hz) 0.7 fW/√Hz (@ 960 nm) 7.5 fW/√Hz (@ 1550 nm)
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FEMTO Messtechnik社製 PWPR-2Kシリーズ

ピコワット フォトレシーバー
  PWPR-2K-SI PWPR-2K-IN
Photodiode 1.2 mm Ø Si-PIN 0.5 mm Ø InGaAs-PIN
Spectral Range 320 … 1060 nm 900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) DC … 2 kHz DC … 2 kHz
Rise/Fall Time (10% – 90%) 165 μs 165 μs
Transimpedance Gain (switchable) 1 x 109 V/A
1 x 1010 V/A
1 x 109 V/A
1 x 1010 V/A
Max. Conversion Gain 0.64 x 109 V/W
(@ 900 nm, gain 109 V/A)
0.64 x 1010 V/W
(@ 900 nm, gain 1010 V/A)
1.1 x 109 V/W
(@ 1580 nm, gain 109 V/A)
1.1 x 1010 V/W
(@ 1580 nm, gain 1010 V/A)
NEP (@ 100 Hz) 9 fW/√Hz (@ 900 nm) 10 fW/√Hz (@ 1580 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 LCA-Sシリーズ

400kHz 低ノイズ フォトレシーバー
  LCA-S-400K-SI LCA-S-400K-IN
Photodiode 2.5 mm φSi-PIN 0.5 mm φInGaAs-PIN
Spectral Range 400 … 1050 nm 900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) DC … 400 kHz DC … 400 kHz
Rise/Fall Time (10% – 90%) 1μs 1μs
Transimpedance Gain 1 x 107 V/A 1 x 107 V/A
Max. Conversion Gain 6.2 x 106V/W (@ 900 nm) 9.5 x 106V/W (@ 1550 nm)
Min NEP(@ 10 kHz) 130 fW/√Hz (@ 900 nm) 75 fW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 HCA-S-200Mシリーズ

200MHz 高速 フォトレシーバー
  HCA-S-200M-SI HCA-S-200M-IN
Photodiode 0.8 mmφSi PIN 0.3 mm φInGaAs PIN
Spectral Range 320 … 1000 nm 900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) DC … 200 MHz DC … 200 MHz
Rise/Fall Time (10% – 90%) 1.8 ns 1.8 ns
Transimpedance Gain 2 x 104 V/A 2 x 104 V/A
Max. Conversion Gain 1.1 x 104V/W (@ 800 nm) 1.9 x 104V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 MHz) 10 pW/√Hz (@ 800 nm) 6 pW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 HCA-S-400Mシリーズ

400MHz 高速 フォトレシーバー
  HCA-S-400M-SI HCA-S-400M-IN-FC
Photodiode 0.8 mm φ Si PIN 0.1 mm φ InGaAs PIN
Spectral Range 320 … 1000 nm 900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) DC … 400 MHz DC … 400 MHz
Rise/Fall Time (10% – 90%) 1 ns 1 ns
Transimpedance Gain 5 x 103 V/A 5 x 103 V/A
IMax. Conversion Gain 2.7 x 103 V/W (@ 800 nm) 5 x 103 V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 100 MHz) 40 pW/√Hz (@ 800 nm) 21 pW/√Hz (@ 1550 nm)
Available Input Options Free Space (FS), FC or SMA FC
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 HSA-X-Sシリーズ

2GHz 超高速 フォトレシーバー
  HSA-X-S-1G4-SI HSA-X-S-2G-IN
Photodiode 0.8 mmφSi PIN 0.2 mm φInGaAs PIN
Spectral Range 320 … 1000 nm 850 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) 10 kHz … 1.4 GHz 10 kHz … 2 GHz
Rise/Fall Time (10% – 90%) 250 ps 180 ps
Transimpedance Gain 5 x 103 V/A 5 x 103 V/A
Max. Conversion Gain 2.5 x 103 V/W (@ 760 nm) 4.8 x 103 V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 MHz) 26 pW/√Hz (@ 760 nm) 14pW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 HSPR-Xシリーズ

2GHz 超高速 フォトレシーバー
  HSPR-X-I-1G4-SI inverting HSPR-X-I-2G-IN inverting
Photodiode Ø 0.4 mm Si-PIN Ø 0.1 mm InGaAs-PIN
Spectral Range 320 … 1000 nm 900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) 10 kHz … 1.4 GHz 10 kHz … 2 GHz
Rise/Fall Time (10% – 90%) 250 ps 180 ps
Transimpedance Gain 5 x 103 V/A inverting 5 x 103 V/A inverting
Max. Conversion Gain 2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 MHz) 19 pW/√Hz (@ 760 nm) 11pW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 OE-200シリーズ

光学パワーメーター ゲイン可変 フォトレシーバー(190〜1700nm 波長範囲)
  OE-200-SI OE-200-UV OE-200-IN1 OE-200-IN2
Detector Type Si-PIN Si-PIN InGaAs-PIN nGaAs-PIN
Detector Size [mm] φ 1.2 1.1 x 1.1 φ 0.1 φ 0.1
Spectral Range [nm] 320 – 1060 190 – 1000 900 – 1700 900 – 1700
Calibration Wavelength [nm] 830 830 1300 1550
Fiber Input FC, ST, SMA T FC, ST, SMA FC, ST FC, S
NEP (Dependent on Gain Setting) [/√Hz] 10 fW – 24 pW 17 fW – 69 pW 11 fW – 25 pW 10 fW – 23 pW
Datasheet

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The Following Characteristics Are Valid For All Models:

Performance Range Low Noise High Speed
Conversion Gain [V/W] 103 104 105 106 107 108 109 105 106 107 108 109 1010 1011
Bandwidth (-3 dB) [kHz] 500 500 400 200 45 7 1.2 500 500 400 200 45 7 1.2
Rise Time (10%-90%) 700 ns 700 ns 90 ns 1.8 μs 8 μs 50 μs 300 μs 700 ns 700 ns 900 ns 1.8 μs 8 μs 50 μs 300 μ
Accuracy Performance Conversion Gain ±5 %, Flatness 0.1 dB, Linearity 1% (Popt < 1 mW)
Lowpass Filter Switchable to 10 Hz
Output Performance ±10 V (@ 10 kΩ load)
Power Supply ±15 V, +150 mA/-100 mA
Control Interface 5 Opto-Isolated Digital Inputs, TTL/CMOS Compatible, Analog Offset Control Voltage Input
Case 150 x 55 x 40 mm (L x W x H), Weight 320 g (0.74 lbs)

FEMTO Messtechnik社製 OE-300シリーズ

200MHz ゲイン可変 フォトレシーバー(320〜1700nm 波長範囲)
Model OE-300-SI-10 OE-300-SI-30 OE-300-IN-01 OE-300-IN-03
Detector Type Si-PIN Si-PIN InGaAs-PIN InGaAs-PIN
Detector size [mm] 1.0 x 1.0 Ø 3.0 Ø 0.08 Ø 0.3
Spectral Range [nm] 400 – 1000 320 – 1000 900 – 1700 800 – 1700
Input Free space
(fiber adapters
available)
Free space
(fiber adapters
available)
FC fiber Free space
NEP
(Dependent on
Gain Setting) [/√Hz]
140 fW – 377 pW 154 fW – 340 pW 88 fW – 217 pW 93 fW – 219 pW
Datasheet

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The Following Characteristics Are Valid For All Models:

Performance Range Low Noise High Speed
Gain Setting [V/A] (Transimpedance) 102 103 104 105 106 107 103 104 105 106 107 108
Bandwidth (−3 dB) [MHz] 200
(100)1
80
(60)1
14 3.5 1.8 0.22 175
(100)1
80
(60)1
14 3.5 1.8 0.22
Rise Time (10 % – 90 %) 1.83 ns
(3.5 ns)1
4.4 ns
(5.8 ns)1
25 ns 0.1 μs 0.2 μs 1.6 μs 2.0 ns
(3.5 ns)1
4.4 ns
(5.8 ns)1
25 ns 0.1 μs 0.2 μs 1.6 μs
Gain Accuracy ±1 % (transimpedance)
Low Pass Filter switchable to 1 MHz and 10 MHz
Output Performance ±1 V (@ 50 Ω load), for linear amplification
Power Supply ±15 V, +150 mA/−100 mA typ., ±200 mA recommended
Control Interface 5 opto-isolated digital inputs, TTL/CMOS compatible, analog offset control voltage input
Case 170 x 60 x 45 mm (L x B x H), weight 320 g (0.74 lb.)

1) model OE-300-SI-30

新商品

FEMTO Messtechnik社製 HBPRシリーズ

HBPRシリーズ(差動入力型 フォトレシーバー)

Models for the spectral range from 320 to 1000 nm:

Model HBPR-100M-60K-SI-FS
HBPR-100M-60K-SI-FST
HBPR-100M-60K-SI-FC
HBPR-200M-30K-SI-FS
HBPR-200M-30K-SI-FST
HBPR-200M-30K-SI-FC
HBPR-500M-10K-SI-FS
HBPR-500M-10K-SI-FST
HBPR-500M-10K-SI-FC
Si-PIN photo diode 0.8 mm Ø 0.8 mm Ø 0.4 mm Ø,
FC version with ball lens
Spectral range 320 – 1000 nm 320 – 1000 nm 320 – 1000 nm
Bandwidth (−3 dB) DC – 100 MHz DC – 200 MHz DC – 500 MHz
Transimpedance gain
(switchable)
2.0 x 104 V/A
6.0 x 104 V/A
1.0 x 104 V/A
3.0 x 104 V/A
5.0 x 103 V/A
10.0 x 103 V/A
Conversion gain
(switchable)
10.8 x 103 V/W typ.
32.4 x 103 V/W typ.
(@ 850 nm)
5.4 x 103 V/W typ.
16.2 x 103 V/W typ.
(@ 850 nm)
2.55 x 103 V/W typ.
5.1 x 103 V/W typ.
(@ 760 nm)
Minimum NEP ≤ 6.5 pW/√Hz (@850 nm) ≤ 7.8 pW/√Hz (@850 nm) ≤ 12 pW/√Hz (@760 nm)
NEP (@ 20 MHz) ≤ 7.4 pW/√Hz (@850 nm) ≤ 8.8 pW/√Hz (@850 nm) ≤ 13 pW/√Hz (@760 nm)
Common mode rejection (typ.) 50 dB 45 dB 40 dB
Data sheet FS/FST version

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Data sheet FC version

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Models for the spectral range from 800 to 1700 nm:

Model HBPR-100M-60K-IN-FS
HBPR-100M-60K-IN-FST
HBPR-100M-60K-IN-FC
HBPR-200M-30K-IN-FS
HBPR-200M-30K-IN-FST
HBPR-200M-30K-IN-FC
HBPR-450M-10K-IN-FS
HBPR-450M-10K-IN-FST
HBPR-500M-10K-IN-FC
InGaAs-PIN photo diode 0.3 mm Ø (FS/FST model), 80 µm Ø, ball lens (FC model)
Spectral range 800 – 1700 nm (FS/FST model), 900 – 1700 nm (FC model)
Bandwidth (−3 dB) DC – 100 MHz DC – 200 MHz DC – 450 MHz (FS/FST)
DC – 500 MHz (FC)
Transimpedance gain (switchable) 2.0 x 104 V/A
6.0 x 104 V/A
1.0 x 104 V/A
3.0 x 104 V/A
5.0 x 103 V/A
1.0 x 104 V/A
Conversion gain
@ 1550 nm (switchable)
19 x 103 V/W typ.
57 x 103 V/W typ.
9.5 x 103 V/W typ.
28.5 x 103 V/W typ.
4.75 x 103 V/W typ.
9.5 x 103 V/W typ.
Minimum NEP (@ 1550 nm) ≤ 3.7 pW/√Hz ≤ 4.4 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 4.1 pW/√Hz (FC)
≤ 6.5 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 6.7 pW/√Hz (FC)
NEP (@ 20 MHz, 1550 nm) ≤ 4.3 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 4.0 pW/√Hz (FC)
≤ 4.9 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 4.4 pW/√Hz (FC)
≤ 6.9 pW/√Hz
Common mode rejection (typ.) 50 dB (FS/FST)
55 dB (FC)
45 dB (FS/FST)
50 dB (FC)
35 dB (FS/FST)
45 dB (FC)
Data sheet FS/FST version

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Data sheet FC version

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The following specifications apply to all HBPR models:

Max. CW common mode power 10 mW on each photo diode
Low pass filter Full bandwidth switchable to 20 MHz (upper cut-off frequency)
High pass filter (AC coupling) DC coupling switchable to AC (10 Hz lower cut-off frequency)
Signal output voltage ±1.0 V at 50 Ω load (for linear gain and low harmonic distortion),
maximum ±2.0 V at 50 Ω load
Monitor outputs transimpedance gain 1000 V/A, bandwidth DC – 10 MHz,
output voltage 0 … +10 V (@ ≥100 kΩ load)
Power supply voltage / current ±15 V (±14.5 V … ±16.5 V)
–90 / +120 mA typ.
Housing 80 x 80 x 30,5 mm (L x B x H)
weight FC-models 350 g (0.77 lbs), weight FS/FST-models 410 g (0.9 lbs)

Femto社製アンプ用アクセサリー(電源、USBコントローラ)はこちらをご覧ください。

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