フォトレシーバー

FEMTO製「フォトレシーバー」

各種「フォトレシーバー」お取り扱いをしております。各製品をクリックすると詳細へ移動します。

FEMTO Messtechnik社製 FWPR-20シリーズ

フェムトワット フォトレシーバー
 FWPR-20-SIFWPR-20-IN
Photodiode1.1 x 1.1 mm2 Si0.5 mmφInGaAs PIN
Spectral Range320 … 1100 nm900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)DC … 20 HzDC … 20 Hz
Rise/Fall Time (10% – 90%)18 ms18 ms
Transimpedance Gain1 x 1012 V/A1 x 1011 V/A
Max. Conversion Gain0.6 x 1012 V/W (@ 960 nm)0.95 x 1011 V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 Hz)0.7 fW/√Hz (@ 960 nm)7.5 fW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 PWPR-2Kシリーズ

ピコワット フォトレシーバー
 PWPR-2K-SIPWPR-2K-IN
Photodiode1.2 mm Ø Si-PIN0.5 mm Ø InGaAs-PIN
Spectral Range320 … 1060 nm900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)DC … 2 kHzDC … 2 kHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)165 μs165 μs
Transimpedance Gain (switchable)1 x 109 V/A
1 x 1010 V/A
1 x 109 V/A
1 x 1010 V/A
Max. Conversion Gain 0.64 x 109 V/W
(@ 900 nm, gain 109 V/A)
0.64 x 1010 V/W
(@ 900 nm, gain 1010 V/A)
1.1 x 109 V/W
(@ 1580 nm, gain 109 V/A)
1.1 x 1010 V/W
(@ 1580 nm, gain 1010 V/A)
NEP (@ 100 Hz)9 fW/√Hz (@ 900 nm)10 fW/√Hz (@ 1580 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 LCA-Sシリーズ

400kHz 低ノイズ フォトレシーバー
 LCA-S-400K-SILCA-S-400K-IN
Photodiode2.5 mm φSi-PIN0.5 mm φInGaAs-PIN
Spectral Range400 … 1050 nm900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)DC … 400 kHzDC … 400 kHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)1μs1μs
Transimpedance Gain1 x 107 V/A1 x 107 V/A
Max. Conversion Gain6.2 x 106V/W (@ 900 nm)9.5 x 106V/W (@ 1550 nm)
Min NEP(@ 10 kHz)130 fW/√Hz (@ 900 nm)75 fW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 HCA-S-200Mシリーズ

200MHz 高速 フォトレシーバー
 HCA-S-200M-SIHCA-S-200M-IN
Photodiode0.8 mmφSi PIN0.3 mm φInGaAs PIN
Spectral Range320 … 1000 nm900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB)DC … 200 MHzDC … 200 MHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)1.8 ns1.8 ns
Transimpedance Gain2 x 104 V/A2 x 104 V/A
Max. Conversion Gain1.1 x 104V/W (@ 800 nm)1.9 x 104V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 MHz)10 pW/√Hz (@ 800 nm)6 pW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 HCA-S-400Mシリーズ

400MHz 高速 フォトレシーバー
 HCA-S-400M-SIHCA-S-400M-IN-FC
Photodiode0.8 mm φ Si PIN0.1 mm φ InGaAs PIN
Spectral Range320 … 1000 nm900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) DC … 400 MHzDC … 400 MHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)1 ns 1 ns
Transimpedance Gain5 x 103 V/A5 x 103 V/A
IMax. Conversion Gain2.7 x 103 V/W (@ 800 nm)5 x 103 V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 100 MHz)40 pW/√Hz (@ 800 nm)21 pW/√Hz (@ 1550 nm)
Available Input OptionsFree Space (FS), FC or SMA FC
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 HSA-X-Sシリーズ

2GHz 超高速 フォトレシーバー
 HSA-X-S-1G4-SIHSA-X-S-2G-IN
Photodiode 0.8 mmφSi PIN 0.2 mm φInGaAs PIN
Spectral Range320 … 1000 nm 850 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) 10 kHz … 1.4 GHz10 kHz … 2 GHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)250 ps180 ps
Transimpedance Gain5 x 103 V/A5 x 103 V/A
Max. Conversion Gain2.5 x 103 V/W (@ 760 nm) 4.8 x 103 V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 MHz) 26 pW/√Hz (@ 760 nm)14pW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 HSPR-Xシリーズ

2GHz 超高速 フォトレシーバー
 HSPR-X-I-1G4-SI invertingHSPR-X-I-2G-IN inverting
Photodiode Ø 0.4 mm Si-PIN Ø 0.1 mm InGaAs-PIN
Spectral Range320 … 1000 nm 900 … 1700 nm
Bandwidth (-3 dB) 10 kHz … 1.4 GHz10 kHz … 2 GHz
Rise/Fall Time (10% – 90%)250 ps180 ps
Transimpedance Gain5 x 103 V/A inverting5 x 103 V/A inverting
Max. Conversion Gain2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm)
Min NEP (@ 1 MHz) 19 pW/√Hz (@ 760 nm)11pW/√Hz (@ 1550 nm)
Datasheet

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FEMTO Messtechnik社製 OE-200シリーズ

光学パワーメーター ゲイン可変 フォトレシーバー(190〜1700nm 波長範囲)
 OE-200-SIOE-200-UVOE-200-IN1OE-200-IN2
Detector TypeSi-PINSi-PINInGaAs-PINnGaAs-PIN
Detector Size [mm] φ 1.21.1 x 1.1φ 0.1φ 0.1
Spectral Range [nm] 320 – 1060190 – 1000900 – 1700900 – 1700
Calibration Wavelength [nm] 83083013001550
Fiber InputFC, ST, SMA TFC, ST, SMAFC, STFC, S
NEP (Dependent on Gain Setting) [/√Hz] 10 fW – 24 pW17 fW – 69 pW11 fW – 25 pW10 fW – 23 pW
Datasheet

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The Following Characteristics Are Valid For All Models:

Performance RangeLow NoiseHigh Speed
Conversion Gain [V/W]10310410510610710810910510610710810910101011
Bandwidth (-3 dB) [kHz]5005004002004571.25005004002004571.2
Rise Time (10%-90%)700 ns700 ns90 ns1.8 μs8 μs50 μs300 μs700 ns700 ns900 ns1.8 μs8 μs50 μs300 μ
Accuracy PerformanceConversion Gain ±5 %, Flatness 0.1 dB, Linearity 1% (Popt < 1 mW)
Lowpass FilterSwitchable to 10 Hz
OutputPerformance ±10 V (@ 10 kΩ load)
Power Supply±15 V, +150 mA/-100 mA
Control Interface5 Opto-Isolated Digital Inputs, TTL/CMOS Compatible, Analog Offset Control Voltage Input
Case150 x 55 x 40 mm (L x W x H), Weight 320 g (0.74 lbs)

FEMTO Messtechnik社製 OE-300シリーズ

200MHz ゲイン可変 フォトレシーバー(320〜1700nm 波長範囲)
Model OE-300-SI-10 OE-300-SI-30 OE-300-IN-01 OE-300-IN-03
Detector Type Si-PINSi-PINInGaAs-PINInGaAs-PIN
Detector size [mm] 1.0 x 1.0Ø 3.0Ø 0.08Ø 0.3
Spectral Range [nm] 400 – 1000320 – 1000900 – 1700800 – 1700
Input Free space
(fiber adapters
available)
Free space
(fiber adapters
available)
FC fiber Free space
NEP
(Dependent on
Gain Setting) [/√Hz]
140 fW – 377 pW154 fW – 340 pW88 fW – 217 pW93 fW – 219 pW
Datasheet

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The Following Characteristics Are Valid For All Models:

Performance RangeLow NoiseHigh Speed
Gain Setting [V/A] (Transimpedance) 102103104105106107103104105106107108
Bandwidth (−3 dB) [MHz] 200
(100)1
80
(60)1
143.51.80.22 175
(100)1
80
(60)1
143.51.80.22
Rise Time (10 % – 90 %) 1.83 ns
(3.5 ns)1
4.4 ns
(5.8 ns)1
25 ns0.1 μs0.2 μs1.6 μs 2.0 ns
(3.5 ns)1
4.4 ns
(5.8 ns)1
25 ns0.1 μs0.2 μs1.6 μs
Gain Accuracy ±1 % (transimpedance)
Low Pass Filterswitchable to 1 MHz and 10 MHz
Output Performance±1 V (@ 50 Ω load), for linear amplification
Power Supply±15 V, +150 mA/−100 mA typ., ±200 mA recommended
Control Interface 5 opto-isolated digital inputs, TTL/CMOS compatible, analog offset control voltage input
Case170 x 60 x 45 mm (L x B x H), weight 320 g (0.74 lb.)

1) model OE-300-SI-30

新商品

FEMTO Messtechnik社製 HBPRシリーズ

HBPRシリーズ(差動入力型 フォトレシーバー)

Models for the spectral range from 320 to 1000 nm:

ModelHBPR-100M-60K-SI-FS
HBPR-100M-60K-SI-FST
HBPR-100M-60K-SI-FC
HBPR-200M-30K-SI-FS
HBPR-200M-30K-SI-FST
HBPR-200M-30K-SI-FC
HBPR-500M-10K-SI-FS
HBPR-500M-10K-SI-FST
HBPR-500M-10K-SI-FC
Si-PIN photo diode0.8 mm Ø0.8 mm Ø0.4 mm Ø,
FC version with ball lens
Spectral range320 – 1000 nm320 – 1000 nm320 – 1000 nm
Bandwidth (−3 dB)DC – 100 MHzDC – 200 MHzDC – 500 MHz
Transimpedance gain
(switchable)
2.0 x 104 V/A
6.0 x 104 V/A
1.0 x 104 V/A
3.0 x 104 V/A
5.0 x 103 V/A
10.0 x 103 V/A
Conversion gain
(switchable)
10.8 x 103 V/W typ.
32.4 x 103 V/W typ.
(@ 850 nm)
5.4 x 103 V/W typ.
16.2 x 103 V/W typ.
(@ 850 nm)
2.55 x 103 V/W typ.
5.1 x 103 V/W typ.
(@ 760 nm)
Minimum NEP≤ 6.5 pW/√Hz (@850 nm)≤ 7.8 pW/√Hz (@850 nm)≤ 12 pW/√Hz (@760 nm)
NEP (@ 20 MHz)≤ 7.4 pW/√Hz (@850 nm)≤ 8.8 pW/√Hz (@850 nm)≤ 13 pW/√Hz (@760 nm)
Common mode rejection (typ.)50 dB45 dB40 dB
Data sheet FS/FST version

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Data sheet FC version

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Models for the spectral range from 800 to 1700 nm:

ModelHBPR-100M-60K-IN-FS
HBPR-100M-60K-IN-FST
HBPR-100M-60K-IN-FC
HBPR-200M-30K-IN-FS
HBPR-200M-30K-IN-FST
HBPR-200M-30K-IN-FC
HBPR-450M-10K-IN-FS
HBPR-450M-10K-IN-FST
HBPR-500M-10K-IN-FC
InGaAs-PIN photo diode0.3 mm Ø (FS/FST model), 80 µm Ø, ball lens (FC model)
Spectral range800 – 1700 nm (FS/FST model), 900 – 1700 nm (FC model)
Bandwidth (−3 dB)DC – 100 MHzDC – 200 MHzDC – 450 MHz (FS/FST)
DC – 500 MHz (FC)
Transimpedance gain (switchable)2.0 x 104 V/A
6.0 x 104 V/A
1.0 x 104 V/A
3.0 x 104 V/A
5.0 x 103 V/A
1.0 x 104 V/A
Conversion gain
@ 1550 nm (switchable)
19 x 103 V/W typ.
57 x 103 V/W typ.
9.5 x 103 V/W typ.
28.5 x 103 V/W typ.
4.75 x 103 V/W typ.
9.5 x 103 V/W typ.
Minimum NEP (@ 1550 nm)≤ 3.7 pW/√Hz≤ 4.4 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 4.1 pW/√Hz (FC)
≤ 6.5 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 6.7 pW/√Hz (FC)
NEP (@ 20 MHz, 1550 nm)≤ 4.3 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 4.0 pW/√Hz (FC)
≤ 4.9 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 4.4 pW/√Hz (FC)
≤ 6.9 pW/√Hz
Common mode rejection (typ.)50 dB (FS/FST)
55 dB (FC)
45 dB (FS/FST)
50 dB (FC)
35 dB (FS/FST)
45 dB (FC)
Data sheet FS/FST version

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Data sheet FC version

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The following specifications apply to all HBPR models:

Max. CW common mode power10 mW on each photo diode
Low pass filterFull bandwidth switchable to 20 MHz (upper cut-off frequency)
High pass filter (AC coupling)DC coupling switchable to AC (10 Hz lower cut-off frequency)
Signal output voltage±1.0 V at 50 Ω load (for linear gain and low harmonic distortion),
maximum ±2.0 V at 50 Ω load
Monitor outputstransimpedance gain 1000 V/A, bandwidth DC – 10 MHz,
output voltage 0 … +10 V (@ ≥100 kΩ load)
Power supply voltage / current ±15 V (±14.5 V … ±16.5 V)
–90 / +120 mA typ.
Housing 80 x 80 x 30,5 mm (L x B x H)
weight FC-models 350 g (0.77 lbs), weight FS/FST-models 410 g (0.9 lbs)

Femto社製アンプ用アクセサリー(電源、USBコントローラ)はこちらをご覧ください。

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